رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TSM70N600CI C0G
Product Overview
المُصنّع:
Taiwan Semiconductor Corporation
رقم الجزء DiGi Electronics:
TSM70N600CI C0G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 700V 8A ITO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 700 V 8A (Tc) 83W (Tc) Through Hole ITO-220AB
المخزون:
12895916
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
QTYJ
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TSM70N600CI C0G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Taiwan Semiconductor
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
700 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
600mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12.6 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
743 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
83W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
ITO-220AB
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
رقم المنتج الأساسي
TSM70
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
TSM70N600CI C0G-DG
TSM70N600CIC0G
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SIHF7N60E-E3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
SIHF7N60E-E3-DG
سعر الوحدة
0.91
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMNH4011SPSQ-13
MOSFET N-CH 40V PWRDI5060
TSM13ND50CI
MOSFET N-CH 500V 13A ITO220
TSM015NA03CR RLG
MOSFET N-CH 30V 205A 8PDFN